MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管?;蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
MOS管漏源擊穿電壓BVDS
·在VGS=0(增強(qiáng)型)的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面:
(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
(2)漏源極間的穿通擊穿
有些MOS管中,其溝道長(zhǎng)度較短,不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū),使溝道長(zhǎng)度為零,即產(chǎn)生漏源間的穿通,穿通后,源區(qū)中的多數(shù)載流子,直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引,到達(dá)漏區(qū),產(chǎn)生大的ID。除了以上產(chǎn)品外,公司同時(shí)還供應(yīng)有三端穩(wěn)壓芯片、穩(wěn)壓管等產(chǎn)品,我們公司具備有*實(shí)戰(zhàn)的技術(shù),專業(yè)的運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì),為您創(chuàng)造以用戶體驗(yàn)為前提的服務(wù),服務(wù)的至善至美是我們永無止境的追求。因?yàn)橐悦駷楸?,所以值得信賴;因?yàn)閷I(yè)專職,所以值得選擇.以上信息僅供參考,詳情請(qǐng)致電相關(guān)工作人員為您解答。