MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
MOS管使用性能參數(shù)：
1.開啟電壓VT
·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；
·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；
·通過工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流輸入電阻RGS
·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
·這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。
3. 漏源擊穿電壓BVDS
·在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID。
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